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ZXMP10A17E6TA
DIODES(美台)
SOT-26
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ZXMP10A17E6TA
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DIODES(美台)
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SOT-26
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1000+:￥1.1152 500+:￥1.1764 100+:￥1.4552 30+:￥1.6796 10+:￥1.8564 1+:￥2.278 |
436 |
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立创商城
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ZXMP10A17E6TA
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DIODES(美台)
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SOT26
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3000+:￥1.14 1+:￥1.2 |
3393 |
2年内
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圣禾堂
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ZXMP10A17E6TA
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美台(DIODES)
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SOT-26
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30000+:￥1.243 6000+:￥1.3419 3000+:￥1.4125 800+:￥1.9775 200+:￥2.825 10+:￥4.5977 |
6000 |
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油柑网
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ZXMP10A17E6TA
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Diodes(达尔)
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SOT-26
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3000+:￥1.254 1500+:￥1.32 750+:￥1.408 100+:￥1.562 30+:￥1.969 |
3393 |
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3天-15天
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唯样商城
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ZXMP10A17E6TA
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Diodes Incorporated
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SOT-26
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24000+:￥1.4375 12000+:￥1.475 6000+:￥1.5 3000+:￥1.625 |
3000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.1 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 424 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |