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PMV20XNER
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.6393 3000+:￥0.6801 500+:￥0.7481 150+:￥0.9101 50+:￥1.0337 5+:￥1.3224 |
2055 |
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立即发货
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立创商城
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Nexperia(安世)
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SOT23
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3000+:￥0.7085 1500+:￥0.8147 1000+:￥0.994 100+:￥1.2723 1+:￥1.6795 |
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3天-5天
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唯样商城
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NEXPERIA
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SOT23
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1000+:￥0.7445 100+:￥0.804 1+:￥0.8684 |
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2345
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现货最快4H发
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京北通宇
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Nexperia
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TO-236AB
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3000+:￥0.8077 1500+:￥0.9288 1000+:￥1.1332 100+:￥1.4504 1+:￥1.9146 |
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5-10工作日
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云汉芯城
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nexperia
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TO-236AB
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72000+:￥0.9941 36000+:￥1.0115 18000+:￥1.029 9000+:￥1.0464 |
9000 |
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2-4周
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 18.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 510mW（Ta），6.94W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |