HXY20P03D
华轩阳
TO-252-2L
¥0.36576
4,845
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):20A,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@10V
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HXY20P03D
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.3658

2500+:¥0.3854

500+:¥0.48

150+:¥0.5288

50+:¥0.5939

5+:¥0.7242

4845

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 20A
导通电阻(RDS(on)) 42mΩ@10V