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AOD4186
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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AOD4186
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AOS
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TO-252
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150+:￥1.0055 50+:￥1.0232 5+:￥1.0498 |
230 |
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立创商城
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AOD4186
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AOS(美国万代)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.0608 1+:￥1.1232 |
82 |
5年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD4186
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AOS
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TO252
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2500+:￥1.16 1+:￥1.23 |
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5年内
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圣禾堂
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AOD4186
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AOS
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TO-252-2(DPAK)
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25000+:￥1.276 5000+:￥1.3775 2500+:￥1.45 800+:￥2.03 200+:￥2.9 10+:￥4.7198 |
87 |
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油柑网
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AOD4186
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AOS(美国万代)
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TO-252
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30+:￥2.024 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |