IRLU024NPBF-VB
VBsemi(微碧)
TO-251
¥1.2065
462
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):35A,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V
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IRLU024NPBF-VB
VBsemi(微碧半导体)
TO-251

800+:¥1.2065

480+:¥1.2825

80+:¥1.4155

30+:¥1.8335

10+:¥2.0805

1+:¥2.641

462

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IRLU024NPBF-VB
VBsemi/微碧半导体
TO-251

4000+:¥1.2972

500+:¥1.3536

100+:¥1.41

20+:¥1.5228

400000

25+
4-6工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 35A
导通电阻(RDS(on)) 32mΩ@10V