2N7002V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-563
¥0.1925
6,611
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):115mA,导通电阻(RDS(on)):3Ω@5V,50mA
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2N7002V
长电/长晶(JCET)
SOT-563

30000+:¥0.1925

6000+:¥0.2078

3000+:¥0.2187

800+:¥0.3062

100+:¥0.4374

20+:¥0.7119

2621

-
2N7002V
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-563

3000+:¥0.2561

300+:¥0.304

100+:¥0.345

10+:¥0.4271

3990

-
立即发货
2N7002V
CJ/江苏长晶(长电)
SOT-563

9000+:¥0.2013

6000+:¥0.2065

3000+:¥0.21

30000

24+
3-4周
2N7002V
CJ/江苏长晶(长电)
SOT-563

30000+:¥0.2277

15000+:¥0.2376

3000+:¥0.2475

48000

-
3-6工作日
2N7002V
CJ/江苏长晶(长电)
SOT-563

9000+:¥0.2335

6000+:¥0.2395

3000+:¥0.2436

30000

25+
3-4周

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 115mA
导通电阻(RDS(on)) 3Ω@5V,50mA