IRFR024NT
华轩阳
TO-252-2L
¥0.49077
6,420
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):30A,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,15A
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IRFR024NT
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.4908

2500+:¥0.5225

500+:¥0.6196

150+:¥0.7385

50+:¥0.8337

5+:¥1.056

6420

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IRFR024NT
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
TO-252-2L

7500+:¥0.5072

5000+:¥0.5204

2500+:¥0.5292

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 30A
导通电阻(RDS(on)) 26mΩ@10V,15A