ZXMP6A13FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.52
17,872
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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ZXMP6A13FTA
DIODES(美台)
SOT23

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ZXMP6A13FTA
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.5408

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ZXMP6A13FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.5719

6000+:¥0.6175

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800+:¥0.91

200+:¥1.3

10+:¥2.1158

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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.572

1500+:¥0.6149

200+:¥0.7073

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 900mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 900mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 219 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 625mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3