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SI4134DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI4134DY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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8-SO
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2500+:￥0.576 1+:￥0.623 |
14810 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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SI4134DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥0.59904 1+:￥0.64792 |
7303 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI4134DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥0.59904 1+:￥0.64792 |
35308 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI4134DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥0.6336 1250+:￥0.6853 100+:￥0.8085 50+:￥1.0505 |
14810 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI4134DY-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SO-8
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25000+:￥0.7205 5000+:￥0.7779 2500+:￥0.8188 800+:￥1.1463 200+:￥1.6376 10+:￥2.5383 |
20000 |
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油柑网
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