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STN1NK80Z
ST(意法半导体)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：800 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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STN1NK80Z
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥0.8468 2500+:￥0.9043 500+:￥1.0002 150+:￥1.2155 50+:￥1.388 5+:￥1.7906 |
38355 |
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立即发货
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立创商城
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STN1NK80Z
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ST(意法半导体)
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SOT-223
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4000+:￥0.87 1+:￥0.918 |
2120 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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STN1NK80Z
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ST(意法半导体)
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SOT-223-3
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4000+:￥0.9048 1+:￥0.95472 |
2115 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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STN1NK80Z
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意法半导体(ST)
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SOT-223
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40000+:￥0.9074 8000+:￥0.9795 4000+:￥1.0311 1000+:￥1.4435 300+:￥2.0622 10+:￥3.3562 |
221259 |
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油柑网
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STN1NK80Z
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ST(意法半导体)
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SOT-223-3
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4000+:￥0.97791 1000+:￥0.99607 500+:￥1.01423 100+:￥1.03148 10+:￥1.0442 |
484 |
23+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 7.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |