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SI3401AHE3-TP
MCC(美微科)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A，驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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SI3401AHE3-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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300+:￥0.2805 100+:￥0.324 10+:￥0.411 |
120 |
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Micro Commercial Components
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SOT-23
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15000+:￥0.1872 6000+:￥0.1903 3000+:￥0.195 |
78000 |
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Micro Commercial Components
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SOT-23
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30000+:￥0.2094 3000+:￥0.2159 |
30000 |
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SOT-23
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15000+:￥0.372 9000+:￥0.3782 3000+:￥0.3875 |
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MCC(美微科)
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SOT-23(TO-236)
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3000+:￥0.202 1+:￥0.228 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 4.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |