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NTR5105PT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：196mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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NTR5105PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.25309 1000+:￥0.25779 500+:￥0.26249 100+:￥0.26696 10+:￥0.27025 |
130 |
24+
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现货
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硬之城
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NTR5105PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.293 150+:￥0.3331 50+:￥0.3866 5+:￥0.4934 |
1715 |
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立即发货
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立创商城
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NTR5105PT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23 (TO-236)
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1+:￥0.3396 |
19997 |
2302
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTR5105PT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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100+:￥0.489 30+:￥0.541 10+:￥0.583 5+:￥0.812 |
3000 |
20+/21+
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在芯间
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NTR5105PT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.224 1+:￥0.253 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 196mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30.3 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 347mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |