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DMG7401SFG-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，20V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMG7401SFG-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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2000+:￥1.0 1+:￥1.08 |
1846 |
24+
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圣禾堂
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DMG7401SFG-7
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美台(DIODES)
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PowerDI3333-8
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20000+:￥1.2177 4000+:￥1.3146 2000+:￥1.3838 500+:￥1.9373 200+:￥2.7676 10+:￥4.5043 |
6000 |
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油柑网
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DMG7401SFG-7
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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1000+:￥1.32 500+:￥1.37 100+:￥1.47 30+:￥1.69 10+:￥1.87 1+:￥2.28 |
2623 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2987 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 940mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |