2N7002DWH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-363
¥0.2288
8,217
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):60V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V
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2N7002DWH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-363

3000+:¥0.22

1+:¥0.249

11575

25+
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2N7002DWH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-363

3000+:¥0.2288

1+:¥0.25896

2556

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2N7002DWH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-363

6000+:¥0.3038

3000+:¥0.3209

500+:¥0.3549

150+:¥0.3974

50+:¥0.5298

5+:¥0.7566

1630

-
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2N7002DWH6327
Infineon(英飞凌)
SC-70-6(SOT-363)

3000+:¥0.446

500+:¥0.541

50+:¥0.618

5+:¥0.838

3945

20+
2N7002DWH6327XTSA1
INFINEON
PG-SOT363-6

1+:¥0.4625

86

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.6nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 20pF @ 25V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-VSSOP,SC-88,SOT-363