咨询/建议
100N03A
UMW(友台半导体)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
100N03A
|
UMW(友台半导体)
|
TO-252-2
|
2500+:￥0.575 1+:￥0.622 |
4330 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
100N03A
|
UMW(友台半导体)
|
TO-252
|
5000+:￥0.5847 2500+:￥0.6298 500+:￥0.7949 150+:￥0.9637 50+:￥1.099 5+:￥1.4147 |
2325 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
100N03A
|
UMW(广东友台半导体)
|
TO-252
|
2500+:￥0.5876 1+:￥0.6344 |
4312 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
100N03A
|
UMW(友台)
|
TO-252
|
2500+:￥0.6215 1250+:￥0.671 100+:￥0.792 50+:￥1.0296 |
4319 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
100N03A
|
UMW(友台半导体)
|
TO-252
|
2500+:￥0.64 500+:￥0.79 100+:￥0.95 1+:￥1.31 |
1625 |
22+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1963 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 105W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |