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SIR426DP-T1-GE3-HXY
华轩阳
DFN5x6-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SIR426DP-T1-GE3-HXY
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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DFN5x6-8L
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1000+:￥1.452 500+:￥1.54 100+:￥1.6896 30+:￥2.024 10+:￥2.288 1+:￥2.9128 |
317 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 70A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V |