FDC658AP
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-23-6
¥0.3636
2,665
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):4.1A,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@10V,耗散功率(Pd):350mW
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FDC658AP
TECH PUBLIC(台舟)
SOT-23-6

6000+:¥0.3636

3000+:¥0.3883

500+:¥0.4377

150+:¥0.4995

50+:¥0.5818

5+:¥0.7464

2665

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 4.1A
导通电阻(RDS(on)) 60mΩ@10V
耗散功率(Pd) 350mW