咨询/建议
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V，耗散功率(Pd)：16.6W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），12.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.58mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：8.6mΩ@10V,20A
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.3 毫欧 @ 8A，8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：70A，耗散功率(Pd)：130W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：23A，导通电阻(RDS(on))：56mΩ@10V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：11.5A，导通电阻(RDS(on))：330mΩ@10V,7A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：142A，导通电阻(RDS(on))：2.6mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V；18mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：48A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：7.5A，导通电阻(RDS(on))：360mΩ@10V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V,30A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：1.25Ω@1.8V,350mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：380mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：92mΩ@10V,2.5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：650mA，导通电阻(RDS(on))：882mΩ@1.8V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：63mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：18V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V,6.5A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.47A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：4.2Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：880mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 880mA，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：14A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@10V,0.23A，耗散功率(Pd)：360mW