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FQD7P20TM
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FQD7P20TM
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ON(安森美)
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D-Pak
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2500+:￥2.26 1+:￥2.36 |
2884 |
2年内
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立即发货
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圣禾堂
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FQD7P20TM
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ON(安森美)
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TO-252-2
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2500+:￥2.3504 1+:￥2.4544 |
2883 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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FQD7P20TM
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安森美(onsemi)
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TO-252-2
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25000+:￥2.486 5000+:￥2.6838 2500+:￥2.825 800+:￥3.955 200+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
2884 |
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油柑网
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FQD7P20TM
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ON(安森美)
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TO-252-3,Dpak,SC-63
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2500+:￥2.486 1250+:￥2.596 100+:￥2.86 20+:￥3.432 |
2884 |
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3天-15天
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唯样商城
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FQD7P20TM
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ON(安森美)
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TO-252-2
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5000+:￥2.51931 1000+:￥2.55486 500+:￥2.59041 100+:￥2.62122 10+:￥2.6544 |
121191 |
24+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 2.85A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 770 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），55W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |