咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：54A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V,0.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：180mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@10V,0.1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：5.6Ω@2.75V,200mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：4Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：31.8mΩ@4.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：43mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.6A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@4.5V,2.1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：30mA，耗散功率(Pd)：500mW，阈值电压(Vgs(th))：1V@8.0uA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.2A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：230mΩ@4.5V,1A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：500mA，耗散功率(Pd)：360mW，阈值电压(Vgs(th))：1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,11A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：220mΩ@4.5V,0.5A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：4mΩ@10V,30A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V,8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：700mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：32A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：45V，连续漏极电流(Id)：9.6A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V；22mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7.6A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V；56mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：16 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V,15A，耗散功率(Pd)：38W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,5.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@10V；65mΩ@4.5V