2N60G
UMW(友台半导体)
SOT-223
¥0.35984
6,684
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):600V,连续漏极电流(Id):2A,导通电阻(RDS(on)):4.2Ω@10V
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2N60G
UMW(友台半导体)
SOT-223

2500+:¥0.346

1+:¥0.376

4990

24+
立即发货
2N60G
UMW(广东友台半导体)
SOT-223

2500+:¥0.35984

1+:¥0.39104

4989

24+
1-2工作日发货
2N60G
UMW(友台半导体)
SOT-223

5000+:¥0.3797

2500+:¥0.4088

500+:¥0.5096

150+:¥0.5822

50+:¥0.679

5+:¥0.8725

1265

-
立即发货
2N60G
UMW(友台半导体)
SOT-223

100+:¥0.486

30+:¥0.559

10+:¥0.655

5+:¥0.849

430

20+/21+
2N60G
UMW/友台半导体
SOT-223

25000+:¥0.2798

7500+:¥0.2874

2500+:¥0.2926

2500

22+
1工作日

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 2A
导通电阻(RDS(on)) 4.2Ω@10V