AON7296
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥1.374
459
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Ta),12.5A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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渠道
AON7296
AOS(美国万代)
DFN8_3X3MM_EP

100+:¥1.9576

30+:¥2.0625

10+:¥2.0975

1+:¥2.2723

422

-
立即发货
AON7296
AOS
DFN-8(3x3)

150+:¥1.374

50+:¥1.557

5+:¥1.984

20

-
立即发货
AON7296
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-8

20000+:¥0.8968

10000+:¥0.912

5000+:¥0.9348

1+:¥0.95

31719

21+
3-6工作日
AON7296
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-8

12000+:¥1.026

9000+:¥1.044

6000+:¥1.062

3000+:¥1.08

24000

22+
3-5工作日
AON7296
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-8

15000+:¥1.062

9000+:¥1.08

5000+:¥1.107

45000

-
5-7工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Ta),12.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 66 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 12 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 415 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),20.8W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN