RU30L30M-VB
VBsemi(微碧)
DFN3x3-8
¥1.7
1,397
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):45A,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V;18mΩ@4.5V
厂家型号
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渠道
RU30L30M-VB
VBsemi(微碧半导体)
DFN3x3-8

1000+:¥1.7

500+:¥1.802

100+:¥2.04

30+:¥2.363

10+:¥2.686

1+:¥3.332

323

-
立即发货
RU30L30M-VB
VBsemi(微碧)
QFN8_3X3MM_EP

500+:¥2.0451

100+:¥2.098

10+:¥2.3624

1+:¥2.4506

537

-
立即发货
RU30L30M-VB
微碧半导体(VBsemi)
QFN8_3X3MM_EP

100+:¥2.3311

20+:¥3.2635

5+:¥4.0386

537

-
RU30L30M-VB
VBsemi/微碧半导体
QFN-8

5000+:¥1.8617

500+:¥1.9464

100+:¥2.1156

15+:¥2.2849

400000

25+
4-6工作日
RU30L30M-VB
VBsemi/微碧半导体
QFN-8

3000+:¥1.9464

500+:¥2.031

300+:¥2.1156

10+:¥2.2849

400000

25+
3-4工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 45A
导通电阻(RDS(on)) 11mΩ@10V;18mΩ@4.5V