咨询/建议
BSC066N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSC066N06NS
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8
|
500+:￥2.92 100+:￥3.24 30+:￥3.78 10+:￥4.32 1+:￥5.4 |
613 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
BSC066N06NSATMA1
|
INFINEON
|
PG-TDSON-8
|
1+:￥4.3022 |
12 |
2244
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
BSC066N06NSATMA1
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON-8
|
15000+:￥3.8926 10000+:￥4.0134 5000+:￥4.097 |
6720 |
-
|
10-15工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC066N06NSATMA1
|
Infineon Technologies/IR
|
TDSON-8
|
500+:￥5.3705 100+:￥5.9 10+:￥6.504 |
3283 |
-
|
14-18工作日
|
云汉芯城
|
|
BSC066N06NSATMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TDSON-8
|
100+:￥5.4667 30+:￥6.56 10+:￥8.2001 1+:￥9.8401 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），46W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |