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NTJD4152PT1G
onsemi(安森美)
SC-88
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：880mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 880mA，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTJD4152PT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-363
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30000+:￥0.4227 6000+:￥0.4563 3000+:￥0.4803 800+:￥0.6724 100+:￥0.9606 20+:￥1.5633 |
18050 |
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油柑网
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NTJD4152PT1G
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ON(安森美)
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SOT-363
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3000+:￥0.4308 1000+:￥0.4388 500+:￥0.4468 100+:￥0.4544 10+:￥0.46 |
57561 |
22+
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现货
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硬之城
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NTJD4152PT1G
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onsemi(安森美)
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SC-88
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6000+:￥0.5382 3000+:￥0.5614 500+:￥0.6636 150+:￥0.7291 50+:￥0.8074 5+:￥0.9641 |
5085 |
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立即发货
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立创商城
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NTJD4152PT1G
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ON(安森美)
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16-PDIP
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3000+:￥0.62 1+:￥0.667 |
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22+
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圣禾堂
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NTJD4152PT1G
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ON(安森美)
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SC-88
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3000+:￥0.6448 1+:￥0.69368 |
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22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 880mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 260 毫欧 @ 880mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.2nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 155pF @ 20V |
| 功率 - 最大值 | 272mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |