咨询/建议
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35.8A，耗散功率(Pd)：3.75W
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：119A，导通电阻(RDS(on))：3.6mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：63W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 5.8A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：202A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：63A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@6V,23A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,40A
漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：20.7A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@10V,13.1A，耗散功率(Pd)：208W
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：68.5A，导通电阻(RDS(on))：41mΩ@10V,33.1A，耗散功率(Pd)：500W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.7A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@2.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：1.3Ω@10V,500mA
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V；2.2Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：950mA，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：410mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V,3.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,3.4A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V
漏源电压(Vdss)：25V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V,0.7A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：510mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：260mΩ@4.5V,1A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：75W
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.1A，导通电阻(RDS(on))：108mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：103mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：9.5Ω@10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：62.5mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：14.7A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,8A，耗散功率(Pd)：22.2W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：40W