BSZ086P03NS3G
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8FL
¥1.248
9,579
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):40A,导通电阻(RDS(on)):8.6mΩ@10V,20A
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BSZ086P03NS3G
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8(3.3x3.3)

5000+:¥1.248

1+:¥1.3208

3063

25+
1-2工作日发货
BSZ086P03NS3G
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8FL

1000+:¥1.51

500+:¥1.56

100+:¥1.75

30+:¥1.9

10+:¥2.03

1+:¥2.32

1516

-
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BSZ086P03NS3G
英飞凌(INFINEON)
TSDSON-8(3.3x3.3)

25000+:¥2.3929

5000+:¥2.6588

5000

-
BSZ086P03NS3G
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8(3.3x3.3)

5000+:¥1.2

1+:¥1.27

3501

25+
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 40A
导通电阻(RDS(on)) 8.6mΩ@10V,20A