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DMN6140LQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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渠道
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DMN6140LQ-7
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Diodes(达尔)
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SOT-23
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3000+:￥0.4745 1500+:￥0.5083 200+:￥0.5577 80+:￥0.6864 |
5208 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN6140LQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-23
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500+:￥0.5156 150+:￥0.5822 50+:￥0.671 5+:￥0.8486 |
1040 |
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立即发货
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立创商城
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DMN6140LQ-7
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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500+:￥0.6302 100+:￥0.6588 1+:￥0.6874 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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DMN6140LQ-7
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.3796 1500+:￥0.40664 200+:￥0.44616 1+:￥0.64896 |
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1-3工作日
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硬之城
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DMN6140LQ-7
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DIODES(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4107 1500+:￥0.4396 200+:￥0.4829 1+:￥0.7015 |
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24+
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2-4工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.6 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 315 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |