LSI1012LT1G
LRC(乐山无线电)
SOT-23
¥0.0789
236,013
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):500mA,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@1.8V,350mA
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LSI1012LT1G
LRC(乐山无线电)
SOT-23

3000+:¥0.0789

1+:¥0.0994

10866

25+
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LSI1012LT1G
LRC(乐山无线电)
SOT-23-3

3000+:¥0.08206

1+:¥0.10338

10816

25+
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LSI1012LT1G
乐山无线电(LRC)
SOT-23

30000+:¥0.0896

6000+:¥0.0967

3000+:¥0.1018

800+:¥0.1425

100+:¥0.2036

20+:¥0.3314

108539

-
LSI1012LT1G
LRC(乐山无线电)
SOT23

3000+:¥0.0947

1500+:¥0.107

1000+:¥0.1305

550+:¥0.1723

15000

-
3天-5天
LSI1012LT1G
LRC(乐山无线电)
SOT-23

3000+:¥0.0963

600+:¥0.1096

200+:¥0.1318

20+:¥0.1717

11220

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 500mA
导通电阻(RDS(on)) 1.25Ω@1.8V,350mA