咨询/建议
SI4431CDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SI4431CDY-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SO-8
|
2500+:￥0.9675 500+:￥1.0733 150+:￥1.3109 50+:￥1.5013 5+:￥1.9456 |
2765 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SI4431CDY-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOIC-8
|
2500+:￥0.99944 1+:￥1.0608 |
3759 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
SI4431CDY-T1-GE3
|
威世(VISHAY)
|
SOIC-8
|
25000+:￥1.0571 5000+:￥1.1412 2500+:￥1.2013 800+:￥1.6818 200+:￥2.4026 10+:￥3.9102 |
3766 |
-
|
油柑网
|
|
|
SI4431CDY-T1-GE3
|
Vishay(威世)
|
SOIC-8
|
2500+:￥1.0571 1250+:￥1.122 100+:￥1.298 30+:￥1.683 |
3766 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
SI4431CDY-T1-GE3
|
VISHAY(威世)
|
SOIC-8_150mil
|
100+:￥1.107 30+:￥1.345 10+:￥1.535 1+:￥1.98 |
2485 |
20+/21+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势