2V7002KT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.1398
7,377
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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2V7002KT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.1398

600+:¥0.1713

200+:¥0.1999

20+:¥0.2514

4720

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2V7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.166

1+:¥0.188

409

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ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.191

1000+:¥0.2003

500+:¥0.2133

100+:¥0.2411

20+:¥0.2689

5+:¥0.2967

204

-
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2V7002KT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.1924

1+:¥0.21736

397

23+
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2V7002KT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.2035

6000+:¥0.2197

3000+:¥0.2313

800+:¥0.3238

100+:¥0.4626

20+:¥0.753

399

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 24.5 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 300mW(Tj)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3