咨询/建议
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：65W
漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@10V，耗散功率(Pd)：79W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：100A，耗散功率(Pd)：51.6W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：750mΩ@10V,3A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,5.3A，耗散功率(Pd)：50W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：54A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@4.5V,9A
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：19mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.65A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：7.7mΩ@10V，耗散功率(Pd)：105W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：65W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,38.8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Ta），35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V,15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；58mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：71A（Ta），200A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：76A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V；1.7Ω@4.5V
数量：1个P沟道，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,5.1A，工作温度：-55℃~+150℃
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：190mΩ@2.5V,550mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.8A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V,1.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@10V；33mΩ@2.5V；25mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V；26mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.4A，导通电阻(RDS(on))：31mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10.5A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3.1W