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IRFH7084TRPBF
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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PQFN-8(5x6)
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4000+:￥2.53 1+:￥2.64 |
7617 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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4000+:￥2.6312 1+:￥2.7456 |
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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1000+:￥2.7 500+:￥2.89 100+:￥4.1 30+:￥4.69 10+:￥5.29 1+:￥6.49 |
15028 |
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Infineon
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PQFN-8
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4000+:￥2.9099 1000+:￥3.0554 500+:￥3.2082 100+:￥3.3686 50+:￥3.7055 10+:￥4.0761 |
8000 |
2142
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壹探芯城
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Infineon(英飞凌)
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PowerTDFN8
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1000+:￥3.22 500+:￥3.36 100+:￥3.64 30+:￥3.92 1+:￥4.06 |
276 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.25 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 190 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6560 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |