咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@2.5V,0.05A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：2.7Ω@5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V,0.2A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 500mA，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@2.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA，360mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.7 欧姆 @ 500mA，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@4.5V,100mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,6A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.13A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：27A，导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,20A，耗散功率(Pd)：75W
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：900 µA @ 20 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 10 nA，功率 - 最大值：350 mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V；16mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V,4.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.16A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：145A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：43W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Ta），20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：35A，耗散功率(Pd)：52.1W
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：108A，导通电阻(RDS(on))：5.9mΩ@10V，耗散功率(Pd)：130W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,65A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：8.7mΩ@10V,10A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：80V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：73 毫欧 @ 2.2A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V