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CSD87381P
TI(德州仪器)
PTAB-5(2.5x3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.3 毫欧 @ 8A，8V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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PTAB-5(2.5x3)
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1000+:￥2.06 500+:￥2.18 100+:￥2.61 30+:￥3.01 10+:￥3.42 1+:￥4.23 |
1147 |
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立即发货
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立创商城
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TI(德州仪器)
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5-PTAB（3x2.5）
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2500+:￥2.09 1+:￥2.18 |
210 |
22+
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立即发货
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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3 mm*2.5 mm
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5000+:￥2.16214 1000+:￥2.19265 500+:￥2.22316 100+:￥2.2496 10+:￥2.27808 |
3960 |
2302+5
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现货
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硬之城
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TI(德州仪器)
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3 mm*2.5 mm
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2500+:￥2.1736 1+:￥2.2672 |
164 |
22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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TI(德州仪器)
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PTAB-5
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500+:￥2.46 100+:￥2.65 20+:￥3.01 1+:￥3.75 |
6150 |
21+/23+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.3 毫欧 @ 8A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 564pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 5-LGA |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH |