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RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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RZM002P02T2L
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ROHM(罗姆)
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VMT3(SOT-723)
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8000+:￥0.15 1+:￥0.165 |
35152 |
2年内
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圣禾堂
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RZM002P02T2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-723-3
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8000+:￥0.156 1+:￥0.1716 |
35051 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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RZM002P02T2L
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罗姆(ROHM)
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SOT-723
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80000+:￥0.165 16000+:￥0.1781 8000+:￥0.1875 1000+:￥0.2625 100+:￥0.375 20+:￥0.6104 |
35052 |
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油柑网
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RZM002P02T2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-723-3
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3200+:￥0.1772 1600+:￥0.1995 100+:￥0.2646 10+:￥0.3391 |
2485 |
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华秋商城
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RZM002P02T2L
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ROHM(罗姆)
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SOT-723
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5000+:￥0.1885 1000+:￥0.2122 300+:￥0.2419 100+:￥0.2815 10+:￥0.3607 |
7900 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 115 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |