RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723
¥0.15
157,496
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
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RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
VMT3(SOT-723)

8000+:¥0.15

1+:¥0.165

35152

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RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

8000+:¥0.156

1+:¥0.1716

35051

2年内
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RZM002P02T2L
罗姆(ROHM)
SOT-723

80000+:¥0.165

16000+:¥0.1781

8000+:¥0.1875

1000+:¥0.2625

100+:¥0.375

20+:¥0.6104

35052

-
RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723-3

3200+:¥0.1772

1600+:¥0.1995

100+:¥0.2646

10+:¥0.3391

2485

-
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RZM002P02T2L
ROHM(罗姆)
SOT-723

5000+:¥0.1885

1000+:¥0.2122

300+:¥0.2419

100+:¥0.2815

10+:¥0.3607

7900

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 115 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 150mW(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723