咨询/建议
CSD17573Q5B
TI(德州仪器)
PDFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
CSD17573Q5B
|
TI(德州仪器)
|
8-VSON-CLIP（5x6）
|
2500+:￥2.08 1+:￥2.17 |
353 |
22+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
CSD17573Q5B
|
TI(德州仪器)
|
PowerTDFN-8
|
2500+:￥2.1632 1+:￥2.2568 |
346 |
22+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
CSD17573Q5B
|
德州仪器(TI)
|
PDFN-8(5x6)
|
25000+:￥2.288 5000+:￥2.47 2500+:￥2.6 800+:￥3.64 200+:￥5.2 10+:￥8.463 |
353 |
-
|
油柑网
|
|
|
CSD17573Q5B
|
TI(德州仪器)
|
PDFN-8(5x6)
|
1000+:￥2.3226 500+:￥2.4598 100+:￥3.0576 30+:￥3.58 10+:￥4.04 1+:￥4.97 |
1422 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
CSD17573Q5B
|
TI(德州仪器)
|
8-PowerTDFN
|
100+:￥2.64 20+:￥3.157 |
353 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 64 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9000 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），195W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:1 |