AON6220
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(5x6)
¥2.08
4,855
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON6220
AOS
DFN5x6-8L EP1

3000+:¥2.0

1+:¥2.09

660

20+
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AON6220
AOS(美国万代)
DFN-8(5x6)

3000+:¥2.08

1+:¥2.1736

653

20+
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AON6220
AOS
DFN-8(5x6)

30000+:¥2.2

6000+:¥2.375

3000+:¥2.5

800+:¥3.5

200+:¥5.0

10+:¥8.1375

660

-
AON6220
AOS(美国万代)
DFN 5x6

100+:¥2.596

20+:¥3.124

660

-
3天-15天
AON6220
AOS
DFN-8(5x6)

1000+:¥2.7

500+:¥2.87

100+:¥3.19

30+:¥3.73

10+:¥4.27

1+:¥5.35

2877

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 95 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4525 pF @ 50 V
功率耗散(最大值) 113.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerSMD,扁平引线