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BSH205G2R
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSH205G2R
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.27622 |
2668 |
22+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH205G2R
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.279 1+:￥0.315 |
2080 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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BSH205G2R
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NEXPERIA
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2793 500+:￥0.3156 1+:￥0.3636 |
7016 |
2238
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSH205G2R
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.29016 1+:￥0.3276 |
2078 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSH205G2R
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.2918 6000+:￥0.315 3000+:￥0.3316 800+:￥0.4642 200+:￥0.6632 10+:￥1.0794 |
2612 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 170 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 418 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |