咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：97mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 4.5A，4.5V，90 毫欧 @ 500mA，4.5V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA，130mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,4.2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@10V；45mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,10A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：850mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：33A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V；8mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，20V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：400V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：550mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@4.5V,15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：70A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：680mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.9A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 3A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,90A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V；3.2mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：330A，导通电阻(RDS(on))：1.6mΩ@10V,100A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：182A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@1.8V,1A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：250mA，导通电阻(RDS(on))：2.87Ω@4.5V，耗散功率(Pd)：230mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：7.5Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：230mA，导通电阻(RDS(on))：3.4Ω@10V,0.22A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：950mA，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@1.8V,0.35A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V