2N7002
BORN(伯恩半导体)
SOT-23
¥0.0518
58,966
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):200mA,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V
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2N7002
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0518

24000+:¥0.0559

6000+:¥0.0636

3000+:¥0.0724

500+:¥0.0881

50+:¥0.1145

41150

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2N7002
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.05262

1+:¥0.06635

5921

25+
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2N7002
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.0605

600+:¥0.0656

200+:¥0.0707

20+:¥0.0758

2973

-
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2N7002
伯恩半导体(BORN)
SOT-23

30000+:¥0.0741

6000+:¥0.0799

3000+:¥0.0842

800+:¥0.1178

100+:¥0.1684

20+:¥0.2741

2993

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2N7002
BORN(伯恩)

3000+:¥0.0759

1500+:¥0.0957

330+:¥0.153

5925

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 200mA
导通电阻(RDS(on)) 7.5Ω@10V