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CSD19533Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(5x6)
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2500+:￥3.08 1+:￥3.22 |
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硬之城
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德州仪器(TI)
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25000+:￥3.388 5000+:￥3.6575 2500+:￥3.85 800+:￥5.39 200+:￥7.7 10+:￥12.5318 |
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油柑网
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2500+:￥3.388 1250+:￥3.542 100+:￥3.894 20+:￥4.675 |
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SON-8(5x6)
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1000+:￥3.5343 500+:￥3.6729 100+:￥4.2867 30+:￥5.04 10+:￥5.68 1+:￥6.83 |
3799 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2670 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |