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SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI9407BDY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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5000+:￥0.934 2500+:￥0.9989 500+:￥1.1069 150+:￥1.3494 50+:￥1.5438 5+:￥1.9974 |
9025 |
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立即发货
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立创商城
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SI9407BDY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥0.9828 1+:￥1.04 |
2207 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI9407BDY-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOIC-8
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25000+:￥0.9944 5000+:￥1.0735 2500+:￥1.13 800+:￥1.582 200+:￥2.26 10+:￥3.6782 |
10000 |
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油柑网
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SI9407BDY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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1250+:￥1.1 100+:￥1.265 40+:￥1.639 |
2213 |
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3天-15天
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唯样商城
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SI9407BDY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOIC-8_150mil
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100+:￥1.141 30+:￥1.386 10+:￥1.583 1+:￥2.042 |
3565 |
20+/21+
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在芯间
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