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IRF200P222
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：182A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRF200P222
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC
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25+:￥30.45 10+:￥35.06 1+:￥40.37 |
80 |
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立创商城
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IRF200P222
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Infineon(英飞凌)
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TO247
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400+:￥11.7 1+:￥12.05 |
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圣禾堂
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IRF200P222
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英飞凌(INFINEON)
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TO-247AC
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250+:￥13.255 50+:￥14.3094 25+:￥15.0625 15+:￥21.0875 5+:￥30.125 1+:￥49.0284 |
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油柑网
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IRF200P222
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INFINEON
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TO247
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1+:￥44.9272 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 182A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 82A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 203 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9820 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 556W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |