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BSH103,235
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：850mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSH103,235
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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5000+:￥0.4638 2500+:￥0.494 500+:￥0.5443 150+:￥0.6639 50+:￥0.7553 5+:￥0.9687 |
8080 |
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立创商城
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BSH103,235
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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43920+:￥0.507 1+:￥0.533 |
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圣禾堂
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BSH103,235
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Nexperia(安世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥0.611 30+:￥0.611 10+:￥0.611 5+:￥0.611 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 400mV @ 1mA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 83 pF @ 24 V |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |