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STW12N120K5
ST(意法半导体)
TO-247
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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STW12N120K5
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ST(意法半导体)
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TO-247
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500+:￥11.53 100+:￥12.45 30+:￥14.47 10+:￥16.45 1+:￥19.62 |
944 |
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ST
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TO-247-3
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600+:￥15.142 300+:￥17.0348 150+:￥18.9275 100+:￥20.8203 50+:￥22.713 10+:￥24.6058 |
600 |
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ST(意法半导体)
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600+:￥16.0 1+:￥16.48 |
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圣禾堂
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600+:￥16.64 1+:￥17.1392 |
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硬之城
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10+:￥18.128 3+:￥21.032 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 690 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 44.2 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |