SIL2308-TP
MCC(美微科)
SOT-23-6L
¥0.188
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:标准,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A,4A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):38 毫欧 @ 4.5A,4.5V,90 毫欧 @ 500mA,4.5V
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A,4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 38 毫欧 @ 4.5A,4.5V,90 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V,12nC @ 2.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 800pF,405pF @ 8V,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6