BSS8402DW-7-F
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.21
36,714
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):60V,50V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA,130mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
BSS8402DW-7-F
DIODES(美台)
SOT363

3000+:¥0.21

1+:¥0.237

8373

25+
立即发货
BSS8402DW-7-F
Diodes(美台)
SC-70-6(SOT-363)

3000+:¥0.2184

1+:¥0.24648

8367

25+
1-2工作日发货
BSS8402DW-7-F
美台(DIODES)
SOT-363-6

30000+:¥0.231

6000+:¥0.2494

3000+:¥0.2625

800+:¥0.3675

100+:¥0.525

20+:¥0.8545

8373

-
BSS8402DW-7-F
Diodes(达尔)
SOT-363

3000+:¥0.273

1500+:¥0.3081

200+:¥0.3549

100+:¥0.5499

8373

-
3天-15天
BSS8402DW-7-F
DIODES INCORPORATED
SC-70-6

100+:¥0.294

1+:¥0.3234

290

2409
现货最快4H发

点击查看更多
价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 115mA,130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
功率 - 最大值 200mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363