咨询/建议
IPD068N10N3G
Infineon(英飞凌)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：6.8mΩ@10V,90A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IPD068N10N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO252-3
|
500+:￥2.59 100+:￥2.88 20+:￥3.75 1+:￥4.98 |
1560 |
22+/23+
|
在芯间
|
|
|
IPD068N10N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-3
|
500+:￥2.59 100+:￥2.88 30+:￥3.69 10+:￥4.18 1+:￥5.15 |
721 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IPD068N10N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2500+:￥2.8288 1+:￥2.964 |
1837 |
22+
|
1-2工作日
|
硬之城
|
|
IPD068N10N3G
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-252
|
25000+:￥4.972 5000+:￥5.3675 2500+:￥5.65 800+:￥7.91 200+:￥11.3 10+:￥18.3908 |
11494 |
-
|
油柑网
|
|
|
IPD068N10N3G
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TO252-3
|
2500+:￥2.72 1+:￥2.85 |
1879 |
22+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 90A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V,90A |