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IRLR2908TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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IRLR2908TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK
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2000+:￥2.53 1+:￥2.64 |
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圣禾堂
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2000+:￥2.5896 1+:￥2.704 |
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥2.783 4000+:￥3.0044 2000+:￥3.1625 500+:￥4.4275 200+:￥6.325 10+:￥10.2939 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥2.86 500+:￥3.04 100+:￥3.39 30+:￥3.97 10+:￥4.56 1+:￥5.75 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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2000+:￥2.6728 1000+:￥2.7872 100+:￥3.068 1+:￥3.6816 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 23A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 33 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1890 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |